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M2E80EF_画板1 M2E80EF_画板1
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M2E80EF

它提供高达 2TB 的容量。基于 112 层 3D TLC NAND 闪存,读取速度高达 4,900MB/s,写入速度高达 3,700MB/s。

特点

● 它提供高达 2TB 的容量。

● 基于 112 层 3D TLC NAND 闪存,读取速度高达 4,900MB/s,写入速度高达 3,700MB/s。
规格 

系列名称 M2E80EF
接口 NVMe PCIe Gen4 x4
闪存类型和容量 3D TLC:256GB~2TB
连续读/写速度MB/s  4900 / 3700
常温 0~70℃
宽温 -40~85℃
尺寸L x W x H (mm) 80.00 x 22.00 x 3.50
技术特点

#S.M.A.R.T   #OPAL   #Write Protect   

#conformal coating

技术资料

 

ꄴ前一个: M2S80EB
ꄲ后一个: M2E80ED

产品详情

应用领域

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版权所有 © 安博科EMBCORF

联系方式

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  • 电话:
    010-82773109
  • 地址:
    北京市海淀区彩和坊路8号天创科技大厦510室

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