M2E80EB
提供高达 2TGB 的宽范围容量。基于 3D TLC NAND 闪存，读取速度高达 3,400MB/s，写入速度高达 3,100MB/s，可选择 512MB/1GB/2GB DDR4。
特点
● 提供高达 2TGB 的宽范围容量。
● 基于 3D TLC NAND 闪存，读取速度高达 3,400MB/s，写入速度高达 3,100MB/s，可选择 512MB/1GB/2GB DDR4。
规格
| 系列名称 | M2E80EB |
| 接口 | NVMe PCIe Gen3 x4 |
| 闪存类型和容量 | 3D TLC：256GB~2TB |
| 连续读/写速度MB/s | 3400 / 3100 |
| 常温 | 0~70℃ |
| 宽温 | -40~85℃ |
| 尺寸L x W x H (mm) | 80.00 x 22.00 x 3.50 |
| 技术特点 |
#S.M.A.R.T #OPAL #conformal coating #Thermal Throttling #FIPS |
技术资料
